Б
Б
Рис. 3 Эквивалентные схемы транзисторов в виде двух диодов (р-n — переходов) включенных встречно.
Центральный слой биполярных транзисторов называется база. Внешний левый, который является источником носителей заряда (электронов или дырок) и, главным образом, создает ток прибора, называется эмиттером. Правый внешний слой, принимает заряды от эмиттера, называется коллектором.
На переход эмиттер-база напряжение подается в прямом направлении, поэтому, даже при небольшом напряжении через переход течет значительный ток. На переход коллектор-база напряжение подается в обратном направлении, ее величина в несколько раз превышает напряжение на переходе эмиттер-база.
На рис.3 приведены эквивалентные схемы транзисторов в виде двух диодов
(Р-n — переходов) включенных встречно. Из них видно, что такая конструкция не только не может обеспечивать усиление электрического тока, а в общем неработоспособна — ток от коллектора к эмиттеру протекать не может.
Усиливающие свойства биполярного транзистора обеспечиваются тем, что г-n — переходы в нем не зависящие, а взаимодействуют друг с другом, что, в свою очередь, обеспечивается технологическими особенностями выполнения трехслойной структуры, а именно:
1. эмиттер выполнен с большим количеством примеси — он имеет большое количество свободных носителей заряда;
2. база выполнена тонкой и имеет некоторое количество основных носителей заряда;
3. коллектор — массивный и имеет количество носителей меньше, чем эмиттер.
Полупроводниковые триоды (транзисторы) широко применяются в современной радиотехнике.
Реферати :
- кнтеу рабочая программа статистика
- построение эпюр изгибающих моментов и поперечных сил
- f=2t/d смятие шпонка
- построить эпюры поперечных сил и изгибающих моментов
- фрекцийни передачи
- ветеринарно-санитарные правила для молочно-товарных ферм
- какие формы клейм используется для разных видов мяса
- силовые характеристики механических передач крутящий момент
- Фрикционные передачи
- 1snau.ru — конспекти, лекції, лабораторні
Добавить комментарий